真空鍍膜機(jī)的發(fā)展相當(dāng)迅速，隨著生產(chǎn)率的提高，生產(chǎn)費(fèi)用大大降低，已經(jīng)為真空鍍膜產(chǎn)品的普遍使用鋪平了道路。以卷繞式真空鍍膜機(jī)為例，剛開(kāi)發(fā)時(shí)可鍍的薄膜基材寬度是150mm，目前已達(dá)2253mm。基材卷筒的卷徑是1000mm，卷繞速度750m/min。自動(dòng)裝卸的半連續(xù)卷繞式真空鍍膜機(jī)鍍膜時(shí)間占整個(gè)周期的75%，輔助操作時(shí)間只占25%。隨著計(jì)測(cè)技術(shù)、控制技術(shù)的進(jìn)步和電子計(jì)算機(jī)的應(yīng)用，卷繞式真空鍍膜機(jī)正向著高度自動(dòng)化和高度可靠性的方向發(fā)展。真空鍍膜機(jī)真空鍍膜機(jī)能夠沉積的鍍膜層厚度范圍為0.01-0.2，可以在這個(gè)范圍內(nèi)選擇，有的還可以鍍多層膜，滿足多種需要。日本提出沉積兩種不同鍍膜材料的卷繞式蒸鍍裝置。      硅靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。具體來(lái)講，半導(dǎo)體芯片的制作過(guò)程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié)，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個(gè)環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。靶材是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。我國(guó)ITO靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及其對(duì)我國(guó)觸控面板產(chǎn)業(yè)的影響。氧化銦錫(IndiumTinOde)，作為一種n型半導(dǎo)體材料，具有高的導(dǎo)電率、高的可見(jiàn)光透過(guò)率、高的機(jī)械硬度和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器(PDP)、電致發(fā)光顯示器(EL/OLED)、觸摸屏(TouchPanel)、太陽(yáng)能電池以及其他電子儀表的透明電極上廣泛應(yīng)用。德純金屬靶材。靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。        濺射鍍膜技術(shù)起源于國(guó)外，所需要的濺射材料——靶材也起源發(fā)展于國(guó)外。高純?yōu)R射靶材伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展而興起，是典型的技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，以美、日企業(yè)為代表的國(guó)外企業(yè)占強(qiáng)勢(shì)地位。日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯、住友化學(xué)、愛(ài)發(fā)科等占據(jù)著大部分國(guó)家靶材市場(chǎng)的80%的份額，****國(guó)內(nèi)。靶材，特別是高純度濺射靶材應(yīng)用于電子元器件制造的物理-氣相沉積工藝（PVD）、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。所謂濺射，是制備薄膜材料的主要技術(shù)，也是PVD的一種。它通過(guò)在PVD設(shè)備中用離子對(duì)目標(biāo)物進(jìn)行轟擊，使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出，從而在晶圓表面沉積，濺鍍形成金屬薄膜，其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料。