半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，制造材料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、CMP拋光材料、以及靶材等；（39%）、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。在國(guó)內(nèi)占據(jù)了大部分中等和要求不高的靶材市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)靶材公司的發(fā)展趨勢(shì)如何？目前全球高端靶材市場(chǎng)主要分布于韓國(guó)、寶島、中國(guó)、日本，主要供應(yīng)商在日本，韓國(guó)。 中國(guó)市場(chǎng)目前年消耗ITO靶材約300噸，但處于快速增長(zhǎng)之中日本企業(yè)在硅晶圓、合成半導(dǎo)體晶圓、光罩、光刻膠、靶材料、保護(hù)涂膜、引線架、陶瓷板、塑料板、TAB（捲帶式自動(dòng)接合）、COF（薄膜復(fù)晶）、焊線、封裝材料等14種重要材料方面均占有50%以上的份額。   在1350℃時(shí),表面形貌上靶材表面晶粒間結(jié)合的致密。從斷面形貌看,氣孔較少,主要存在晶粒交界處,氣孔圓化,基本上達(dá)到了陶瓷靶材的燒結(jié)終點(diǎn)。當(dāng)選取Al粉作為摻雜時(shí),溫度系列可以看出,在1050℃晶粒尺寸大,同時(shí)得到的電阻率相對(duì)較低?？萍既?qǐng)?bào)：ITO靶材屬于35項(xiàng)卡脖子技術(shù)之一。UVTM掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實(shí)施極其嚴(yán)格的保密措施，限制技術(shù)擴(kuò)散，同時(shí)不斷進(jìn)行橫向擴(kuò)張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴(kuò)展到濺射鍍膜的各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。研制出適用不同應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品，才能在大部分國(guó)家濺射靶材市場(chǎng)中占得一席之地。UVTM自主創(chuàng)新開發(fā)的能力，TFT-LCD用高品質(zhì)ITO靶材，正式投入量產(chǎn)。自此，靶材的國(guó)外技術(shù)壁壘。