大部分國家靶材市場主要由日美公司所掌控,市場集中度較高。日礦金屬是大部分國家的靶材供應(yīng)商，靶材銷售額約占大部分國家市場的30%，霍尼韋爾在并購JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠后，占到大部分國家市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20%和10%。對靶材用量較大的行業(yè)主要有半導(dǎo)體集成電路、平板顯示器、太陽能電池、磁記錄介質(zhì)、光學(xué)器件等（這些就是按應(yīng)用的）。其中，高純度濺射靶材主要用于對材料純度、穩(wěn)定性要求更高的領(lǐng)域。       蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。這種技術(shù)是D.麥托克斯于13年提出的。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合。一種離子鍍系統(tǒng)如圖4[離子鍍系統(tǒng)示意圖],將基片臺作為陰極，外殼作陽極，充入惰性氣體（如氬）以產(chǎn)生輝光放電。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過等離子區(qū)時發(fā)生電離。正離子被基片臺負電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子（約占蒸發(fā)料的95％）也沉積在基片或真空室壁表面。電場對離化的蒸氣分子的加速作用（離子能量約幾百～幾千電子伏）和氬離子對基片的濺射清洗作用，使膜層附著強度大大提高。離子鍍工藝綜合了蒸發(fā)（高沉積速率）與濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，并有很好的繞射性，可為形狀復(fù)雜的工件鍍膜。        在鈍化表面的同時可以形成背表面場。由于非晶硅的導(dǎo)電性較差，射技術(shù)濺射TCO膜進行橫向?qū)щ姡捎媒z網(wǎng)印刷技術(shù)形成雙面電極，使得HIT電池有著對稱雙面電池結(jié)構(gòu)。HIT電池是以晶硅太陽能電池為襯底，以非晶硅薄膜為鈍化層的電池結(jié)構(gòu)。種在P型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型硅襯底之間增加一層非摻雜(本征)氫化非晶硅薄膜的電池結(jié)構(gòu)。結(jié)電池，即PN結(jié)是在同一種半導(dǎo)體材料上形成的，而異質(zhì)結(jié)電池的PN結(jié)采用不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)相關(guān)信息在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光****中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時。       中國有超過20家靶材生產(chǎn)企業(yè)，但是卻沒有一家可以生產(chǎn)出超過32英寸的靶材。國內(nèi)靶材公司的發(fā)展趨勢如何？目前大部分國家高等靶材市場主要分布于韓國、美國、日本。非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶體管技術(shù)中的溝道層材料。在TFT行業(yè)中應(yīng)用，目前該材料及技術(shù)****主要由日本廠商擁有，IGZO-TFT技術(shù)先在日本夏普公司實現(xiàn)量產(chǎn)。AMOLED(是有源矩陣農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系發(fā)光二極體面板。相比傳統(tǒng)的液晶面板，AMOLED具有反應(yīng)速度較快、對比度更高、視角較廣等特點。HIT電池結(jié)構(gòu)，中間襯底為N型晶體硅，通過PECVD方法在P型a-Si和c-Si之間插入一層10nm厚的i-a-Si本征非晶硅，在形成pn結(jié)的同時。背面為20nm厚的本征a-Si：H和N型a-Si：H層。       與粉末法制備的合金相比，熔煉合金靶材的雜質(zhì)含量(特別是氣體雜質(zhì)含量)低，且能高密度化、大型化。但是，對于熔點和密度相差都很大的2種或2種以上金屬，采用普通的熔煉法一般難以獲得成分均勻的合金靶材；粉末冶金工藝具有容易獲得均勻細晶結(jié)構(gòu)、節(jié)約原材料、生產(chǎn)效率高等優(yōu)點，粉末冶金法制備靶材時，其關(guān)鍵在于選擇高純、超細粉末作為原料。選擇能實現(xiàn)快速致密化的成形燒結(jié)技術(shù)，以保證靶材的低孔隙率，并控制晶粒度，制備過程嚴(yán)格控制雜質(zhì)元素的引入。常用的粉末冶金工藝包括熱壓、真空熱壓和熱等靜壓（HIP）等。硅材料因?qū)щ娐什患敖饘?，且隨溫度升高而增加，因而具有半導(dǎo)體性質(zhì)。微電子領(lǐng)域?qū)Π胁臑R射薄膜的品質(zhì)和電阻要求是相當(dāng)苛刻的。       熱等靜壓法是將粉末或預(yù)先壓成的素坯裝入包套后，再將套內(nèi)抽真空焊接密封，放入高壓容器內(nèi)，使粉末在高溫及等方壓力下燒結(jié)，成型和燒結(jié)同時進行。在ITO靶材的發(fā)展中，早期采用的熱等靜壓技術(shù)難以獲得高密度、大尺寸的材料。隨著常壓燒結(jié)方法的出現(xiàn)，熱等靜壓法制備的靶材尺寸偏小、密度偏低、失氧率高且該方法設(shè)備偏貴、成本偏高的缺點，使熱等靜壓法在ITO陶瓷靶材的制備上不再具備競爭優(yōu)勢，后續(xù)的研究和產(chǎn)業(yè)化逐漸被產(chǎn)業(yè)界淡化，但還是比較適合需要缺氧的陶瓷靶材。UVTM已掌握了銅、鋁等濺射靶材原材料提純的核心技術(shù)。濺射靶材的制備工藝主要包括熔煉鑄造法和粉末燒結(jié)法。常用的熔煉方法有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉和真空電子轟擊熔煉等。